RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
58
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2806
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kllisre 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Strontium SRT8G86U1-P9H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link