RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
58
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2594
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KHX16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link