RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сравнить
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB против Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
13.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
58
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.2
1,950.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
58
26
Скорость чтения, Гб/сек
4,241.0
13.7
Скорость записи, Гб/сек
1,950.7
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
651
2594
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link