Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

30 58

Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.2 1,950.7

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

23400 6400

Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

651 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns