RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.2
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
16.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2761
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Samsung M471B5273CH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link