Confronto tra le RAM Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

Motivi da considerare
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

30 58

Intorno -93% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

12.2 1,950.7

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

23400 6400

Intorno 3.66 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB

SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

5-5-5-15 / 800 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

651 2761

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns