RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
73
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
73
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1843
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link