RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Porównaj
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Wynik ogólny
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
6.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
12.8
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
6.7
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2045
3564
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2666C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link