RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
81
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
81
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1515
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G13332 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link