RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
70
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
70
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1971
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Kingston 99U5474-036.A00LF 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link