RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
46
70
Por volta de 34% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
15.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
70
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
15.3
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
8.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
1971
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 9965525-010.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G160081S 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link