RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.4
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3579
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston 9905471-006.A02LF 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Mushkin 994083 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link