RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2838
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link