RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
46
Wokół strony -21% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
38
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2892
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link