Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Средняя оценка

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 15.2

Среднее значение в тестах

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Причины выбрать
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

38 46

Около -21% меньшая задержка
Выше скорость записи

13.1 1,519.2

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 3200

Около 6.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 38
Скорость чтения, Гб/сек

2,909.8 15.2
Скорость записи, Гб/сек

1,519.2 13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек

3200 21300

Other

Описание

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота

3-3-3-12 / 400 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

241 2892

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

Mushkin MES4S213FF16G28 16GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB

модули RAM

Kingston HX316C10F/8 8GB

Kingston HX316C10F/8 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB

модули RAM

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Kingston K1N7HK-ELC 2GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

модули RAM

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

Kingston KHX2666C16D4/32GX 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB

Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB

модули RAM

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB

модули RAM