RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3460
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link