RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1633
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E84-3000D 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link