RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
77
Wokół strony -250% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3207
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link