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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
比较
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
总分
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
总分
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
22
77
左右 -250% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
22
读取速度,GB/s
3,405.2
17.0
写入速度,GB/s
2,622.0
13.0
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
763
3207
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
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Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
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