RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3416
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link