RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3327
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK32GX4M2L3200C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3000C16 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EF68F9W1600 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link