RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
46
Около -70% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.9
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
27
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
18.7
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3327
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBR 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link