RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
46
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3726
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link