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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
20
46
左右 -130% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.1
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.7
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
20
读取速度,GB/s
2,909.8
20.1
写入速度,GB/s
1,519.2
15.7
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3726
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
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Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
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