RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
46
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
20
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3465
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link