RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
69
Wokół strony -130% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.1
1,441.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,325.1
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,441.2
16.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
525
3637
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link