RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3555
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link