RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
46
Wokół strony -229% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
14
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
25.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
19.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4182
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link