RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
14
46
Por volta de -229% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
25.1
2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
19.3
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
3200
Por volta de 5.31 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
14
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
25.1
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
19.3
Largura de banda de memória, mbps
3200
17000
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
4182
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link