RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2154
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link