RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
14.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
46
Por volta de -12% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.7
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
41
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
7.7
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2154
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link