RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
46
Wokół strony -5% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
44
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3146
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6AFR8A
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link