RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
44
46
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.2
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
44
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.6
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3146
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link