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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Confronto
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Punteggio complessivo
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
44
46
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.2
1,519.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
3200
Intorno 8 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
44
Velocità di lettura, GB/s
2,909.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,519.2
14.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
3200
25600
Other
Descrizione
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
241
3146
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
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