RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
46
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
42
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2427
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
INTENSO 5641162 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636144B 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link