RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
13.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
46
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.0
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
3200
Около 6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
42
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
13.3
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
19200
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2427
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link