RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Compara
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
13.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
42
46
En -10% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
1,519.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
3200
En 6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
46
42
Velocidad de lectura, GB/s
2,909.8
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,519.2
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
3200
19200
Other
Descripción
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
241
2427
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link