RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
46
Wokół strony -28% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
36
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2589
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
AENEON AET760UD00-370B97X 1GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link