RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2312
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KTC2G-UDIMM 2GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G3S1339M.M16FDD 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Team Group Inc. ZEUS-1600 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link