RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
13.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
46
Por volta de -64% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.9
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
28
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
13.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
6.9
Largura de banda de memória, mbps
3200
19200
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
2312
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link