RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
46
Wokół strony -15% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
40
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2956
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link