RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
46
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
33
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3671
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
AMD R7416G2133U2S 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link