RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Comparar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Pontuação geral
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
19.7
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
33
46
Por volta de -39% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
1,519.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
3200
Por volta de 6.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
46
33
Velocidade de leitura, GB/s
2,909.8
19.7
Velocidade de escrita, GB/s
1,519.2
14.8
Largura de banda de memória, mbps
3200
21300
Other
Descrição
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
241
3671
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Comparações de RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9N1 16GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link