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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
19.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
46
左右 -39% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
33
读取速度,GB/s
2,909.8
19.7
写入速度,GB/s
1,519.2
14.8
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3671
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 991586 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
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Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
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