RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2846
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Teclast TLD416G26A30 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link