RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
15.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.7
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
3200
Около 6.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
15.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
21300
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
2846
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link