RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
65
Wokół strony -183% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.9
2,451.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2190
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link