RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Porównaj
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
50
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
12.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
41
50
Prędkość odczytu, GB/s
10.1
12.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1484
2326
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Porównanie pamięci RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link