RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,605.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,451.8
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
878
2408
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link