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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
比较
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
总分
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
总分
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,451.8
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
65
左右 -110% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
31
读取速度,GB/s
4,605.9
14.3
写入速度,GB/s
2,451.8
10.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
878
2408
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905624-019.A00G 8GB
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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
INTENSO 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
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G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
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