RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Comparar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,451.8
10.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
65
Por volta de -110% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,605.9
14.3
Velocidade de escrita, GB/s
2,451.8
10.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
878
2408
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparações de RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link